理想狀態下的電解電容器是沒有損耗的，它是純儲能元件，充多少電就放多少電，實際上由于材料以及制作工藝等各方面的原因導致損耗。

    電解電容器的損耗包含：介質損耗和金屬部分損耗。介質損耗是介質在電場下的極化過程使分子間碰撞而消耗的能量，從而產生損耗，在實際中，等效電阻是造成電容損耗的主要原因，介質損耗通常被忽略！ 一般情況下用DF值損耗角正切（損耗因數）來表示，有功損耗與無功損耗之比即為損耗因數tgδ，或以串聯等效電阻ESR（下一篇文章講）同容抗1/WC之比。

    電解電容與其他電容一樣的！只是損耗正切通常在百分之幾的數量級，金膜電容在萬分之幾的數量。損耗角DF值與溫度、容量、電壓、頻率等各方面都有關系；電解電容損耗角越大，其損耗就越大。